삼성보다 2년 빨리 중국의 D램 도발

중국 최대 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로지가 

대한민국 대표 반도체 기업들이 아직 연구 단계인

4F2(포에프스퀘어)기술을 사용한

서버용 반도체 제품을 올해중 출시하겠다고 밝혔다.

중국이 차세대 D램 시장에서 삼성전자와 SK하이닉스를 추월하겠다고 선전포고한 셈이다.

 

창신메모리테크놀로지의 과도한 기술 마케팅이라는 평가도 있지만

중국의 연구개발 능력이 빠르게 한국을 따라잡고 있다는 걸 보여주는 '경고음'이라는 우려가 커지고 있다.

 

창신메모리테크놀로지 사장은 지난 10일 4F2D램 구조를 적용한 차세대 DDR5 RDIMM

서버용 메모리를 연말까지 출시할 것이라고 했다.

 

현제 D램 시장은 6F2구조의 제품이 보편적이다.

하지만 앞으로 추가적인 성능 향상을 위해서는

D램 회로 구조를 더 작은 4F2로 바꿔야 한다.

 

삼성전자와 하이닉스 모두 4F2 D램을 개발하고 있으나 아직 양산 계획을 밝힌 적은 없다.

업계에서는 삼성전자가 2028년께 양산할 것으로 예상하고 있다.

 

중국 반도체 기술은 한국에 비해 D램은 1~2년, 고대역폭메모리는 3년 이상 뒤쳐저 있다는 분석이 지배적이다.

다만 최근 들어 중국은 잇달아 혁신적인 기술 개발을 선언하며 한국 반도체 업계를 긴장시키고 있다.

앞서 화웨이는 '무어의 법칙'을 뒤집을 새로운 기술이라며 로직 폴딩 기술을 선보였다.

 

또 패키징 분야에서는 양쯔메모리테크놀로지가 개발한

본딩 기술을 삼성저자가 로열티를 지급하며 사용하고 있다.

 

국내 바도체 업계에서는 중국 기업들의 

신기술 개발 선언이 과장된 측면이 있지만

무시해서는 안 될 수준이라고 평가한다.

 

특히 국내반도체 업계는 창신메모리테크놀로지가 목표로 하는

시장이 '서버용D램'인 것에 주목하고 있다.

 

창신메모리테크놀로지가 4F2라는 신기술 개발을 완료하면 서버용 D램 시장 판도를 

흔들 가능성이 있다.

 

차오 사장은 이날 창신메모리테크놀로지가 2016년 설립 초기부터

4F2 D램을 연구해 왔으며 국내외 경쟁사를 모두 능가하는 관련 특허군을 

300건 이상 발표했다고 밝혔다.